Например, максимумы 2,746
и 2,779 A у C2S, стабилизированного B2O3, несколько смещаются
в сторону больших значений и соответствуют 2,763 и 2,813 А.
Это же явление характерно и для линий 3,254; 2,455 А, которые
сдвигаются к 3,273; 2,468 A соответственно.
Введение Cr2O3 вызывает появление дуплетной линии с рав-
новеликими максимумами 1,917; 1,902 А, которые при увеличении концентрации Cr2O3 до 2,75% уменьшаются с преобладанием
максимума 1,902 А. Отмечается сдвиг главного максимума ду-
плетной линии 1,631 A к 1,642 А.
Дуплетные пики с d 1,642; 1,615 А, по мере увеличения добавки окиси хрома, становятся равными по амплитуде. Широкая линия с d 1,810A, изменяя профиль, преобразуется в небольшой острый пик.
Таким образом, в присутствии окиси хрома происходит стабилизация p-C2S, в решетку которого и входит окись хрома с образованием твердого раствора внедрения. Избыточного количества несвязанной окиси хрома не обнаружено, что, возможно, обусловлено недостаточной разрешающей способностью применяемой аппаратуры. Поэтому был проведен ИК-спектральный анализ исследуемого материала (рис. III.6). Полученные результаты подтвердили отсутствие свободной окиси хрома и свидетельствовали об образовании 8-C2S, которому принадлежат полосы поглощений валентных колебаний SiO4 тетраэдров с максимумами 860; 925; 1010 CM 1, не изменяющиеся по мере увеличения добавки Cr2O3 до 2,75%.

Следовательно,  результаты  обоих анализов  указывают на
получение R-модификации двухкальциевого силиката в присутствии 1—2,75% Cr2O3.